RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3774
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link