RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3774
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link