RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
4506
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link