RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2545
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link