RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2807
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link