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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
35
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2545
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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