RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.9
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
21.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
19.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
4044
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link