RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4044
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
AMD R538G1609U1K 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link