RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2345
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link