RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2345
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link