RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2345
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link