RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2345
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link