RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2082
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link