RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
51
Por volta de -38% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2082
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair VS2GB1333D3 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link