RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3386
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link