RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
3386
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link