RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
10.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3386
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link