Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB

Различия

  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 35
    Около -40% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 14.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.4 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 8.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2321 left arrow 2119
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения