RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
59
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
59
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2181
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair VS2GB1333D4 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link