RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
59
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
59
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2181
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link