RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3041
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link