RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs INTENSO 5641162 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
INTENSO 5641162 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO 5641162 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2799
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link