RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2815
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link