RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2815
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link