RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2969
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link