Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Pontuação geral
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Diferenças

  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 19200
    Por volta de 1.33% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 38
    Por volta de -58% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.6 left arrow 15.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 12.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    38 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.5 left arrow 16.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.0 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2283 left arrow 2969
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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