RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3034
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link