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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
15.5
16.9
写入速度,GB/s
12.0
11.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3034
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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