RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3327
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link