RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3327
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link