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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
38
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3435
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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