RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
38
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3435
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link