RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2889
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link