RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2889
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link