RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3491
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link