RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link