RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link