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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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