RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link