RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link