RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3223
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link