RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3223
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link