Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Unterschiede

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 40
    Rund um 28% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.7 left arrow 10.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 6.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 40
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.8 left arrow 11.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.5 left arrow 7.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1953 left arrow 1893
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