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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1953
1893
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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