RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
45
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3380
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link