RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2327
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link