RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
45
Autour de -29% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2327
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link