RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3013
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link