RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3013
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link