RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2913
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link