RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2913
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link