RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
2026
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link