RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
53
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link